除了堆疊層數(shù) 東芝BiCS4閃存還帶來這些變化！

　　2007年，東芝成為世界首個宣布三維(3D)閃存堆疊技術的公司，東芝BiCS閃存發(fā)展至今已是第四代，堆疊層數(shù)也從最初的32層一路增長到了96層。

　　最近，96層BiCS4閃存已隨東芝TR200等固態(tài)硬盤產(chǎn)品正式導入市場。除了堆疊層數(shù)相比上一代BiCS3的64層增加50%之外，BiCS4還首次應用了Toggle 3.0閃存接口，并由此帶來了帶寬與節(jié)能方面的優(yōu)化。

　　Toggle 3.0接口傳輸帶寬可達800MT/s(使用TSOP封裝時為400MT/s)，工作電壓則從3.3/1.8V降低至1.8/1.2V。

　　更低的工作電壓可降低閃存功耗，特別是RC100這類BGA SSD未來有望從新閃存中獲得更加優(yōu)秀的溫度表現(xiàn)。

　　由于條件優(yōu)先，筆者暫時只能利用SATA接口的東芝TR200來探索BiCS4在降低工作電壓后的節(jié)能表現(xiàn)。對照目標選擇同等容量、使用BiCS3閃存的舊版TR200固態(tài)硬盤。

　　使用USB轉(zhuǎn)換線為TR200提供+5V工作電壓，USB測量儀統(tǒng)計實時功耗和累計用電量。

　　測試在Windows 10操作系統(tǒng)下進行，默認關閉了全部SATA LPM鏈路節(jié)能特性。

　　使用64層堆疊BiCS3閃存的東芝TR200 480GB(SBFA13.3固件)在完成一次PCMark 8存儲測試過程后消耗了598mWh的電能。

　　使用96層堆疊BiCS4閃存的東芝TR200 480GB(SBFA15.2固件)在完成一次PCMark 8存儲測試過程后消耗了587mWh的電能。

　　通過對比測試可以發(fā)現(xiàn)，換裝BiCS4閃存后的新版TR200固態(tài)硬盤不僅性能得到了提升，在功耗方面也有了更加優(yōu)秀的表現(xiàn)，而這些都應歸功于東芝96層BiCS4閃存的改進。

　　功耗和容量、性能都是閃存的重要指標，對于采用多Die封裝的高容量閃存顆粒來說，更低的功耗能夠帶來較低發(fā)熱量，減少溫度變化對閃存工作的影響，同時也能夠改善電腦或手機的整體功耗表現(xiàn)。