挑戰 ASML，俄羅斯公布國產極紫外光刻設備長期路線圖

　　9 月 28 日消息，據 Tom's Hardware 報道，俄羅斯科學院微結構物理研究所(由德米特里・庫茲涅佐夫披露)公布了一項國產極紫外(EUV)光刻設備的長期路線圖，該設備工作波長為 11.2 納米，是對該機構去年 12 月披露信息的補充與延伸。新項目周期始于 2026 年，初期將采用 40 納米制造技術，最終延伸至 2037 年，實現亞 10 納米(sub-10nm)制程工藝。這份最新路線圖相比以往部分規劃更具現實可行性，但仍需證明其可執行性;此外，即便能夠落地，該技術也可能不會用于商業用途。

　　最引人注目的一點是，擬研發的 EUV 系統并未復刻 ASML 設備的架構，而是計劃采用一整套完全不同的技術方案：混合固態激光器、基于氙氣等離子體的光源，以及由釕和鈹(Ru / Be)制成的反射鏡 —— 這類反射鏡可反射 11.2 納米波長的光線。與 ASML EUV 設備使用錫滴不同，俄羅斯方案選用氙氣作為光源材料，可消除損害光掩模的碎屑，從而大幅降低設備維護需求。同時，相較于 ASML 的深紫外(DUV)設備，該方案通過降低系統復雜度，規避先進制程中所需的高壓浸沒式液體與多重曝光步驟。

　　IT之家注意到，該路線圖包含三個主要階段：

　　1、第一階段(2026-2028 年)：研發可支持 40 納米制程的光刻機，配備雙反射鏡物鏡，套刻精度達 10 納米，曝光場尺寸最大為 3×3 毫米，晶圓吞吐量超過 5 片 / 小時。

　　2、第二階段(2029-2032 年)：推出可支持 28 納米制程(具備升級至 14 納米的潛力)的掃描光刻機，采用四反射鏡光學系統，套刻精度提升至 5 納米，曝光場尺寸為 26×0.5 毫米，吞吐量超過 50 片 / 小時。

　　3、第三階段(2033-2036 年)：目標實現亞 10 納米制程生產，采用六反射鏡配置，套刻精度達 2 納米，曝光場尺寸最大為 26×2 毫米，設計吞吐量超過 100 片 / 小時。

　　在分辨率方面，這些設備預計可覆蓋 65 納米至 9 納米范圍，能夠滿足 2025-2027 年間當下及未來眾多關鍵層的制造需求。每一代設備均會提升光學精度與掃描效率，且據推測，其單位成本結構將顯著低于 ASML 的 Twinscan NXE 與 EXE 平臺。

　　值得注意的是，研發團隊聲稱將極紫外技術應用于成熟制程(trailing nodes)可帶來多項意外優勢。但他們并未提及使用 11.2 納米波長激光器所面臨的復雜性，包括特殊的反射鏡、專用的反射鏡拋光設備、適配的光學器件、定制化光源、專用電源以及光刻膠等。而 11.2 納米在極紫外光刻領域屬于非行業標準波長。

　　總體而言，這份路線圖或許勾勒出了俄羅斯通過規避傳統 EUV 技術限制、實現芯片制造自主化的發展計劃。但該計劃的可執行性仍不明確，因為其需要實現對整個行業的技術跨越。該系列設備并非以超大規模晶圓廠的最大吞吐量為目標，而是旨在滿足小型晶圓廠的高性價比需求。由于無需采用浸沒式技術或錫基等離子體，這套俄羅斯光刻系統具備清潔、高效且可擴展的特點，或許還能吸引當前被排除在 ASML 生態之外的國際客戶。若該項目完全落地，有望以顯著更低的資本與運營成本，支撐國內外先進芯片的制造與出口。