9 月 28 日消息,兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國(guó)英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。
根據(jù)這份協(xié)議,雙方將成為對(duì)方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商,未來(lái)客戶可在英飛凌與羅姆各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換,從而提升設(shè)計(jì)與采購(gòu)的靈活性。
具體而言,羅姆將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺(tái);而英飛凌則將導(dǎo)入羅姆的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開(kāi)發(fā)兼容封裝。
不僅如此,英飛凌與羅姆計(jì)劃未來(lái)擴(kuò)大合作范圍,這份伙伴關(guān)系將涵蓋采用硅 (Si) 及寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等的功率技術(shù)的更多封裝形式。
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