同比增長 105%，報告稱 HBM 芯片明年月產能突破 54 萬顆

　　工商時報今天報道稱，在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025 年高帶寬內存(HBM)芯片每月總產能為 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆，同比增長 105%。

　　高帶寬內存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，與高性能圖形處理器、網絡交換及轉發設備(如路由器、交換器)、高性能數據中心的 AI 特殊應用集成電路結合使用，可以大幅減少半導體的功率和面積。

　　HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒體拆解英偉達 *** 芯片，物料成本約為 3000 美元(IT之家備注：當前約 21847 元人民幣)，其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元(當前約 14565 元人民幣)，占比 66%。

　　三大巨頭現狀

　　SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商，兩家公司都采用 1beta 納米工藝，并已向英偉達出貨。

　　集邦咨詢認為采用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證，并于今年年中開始供貨。

　　三大巨頭擴產計劃

　　三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠(P1L、P2L 和 P3L)，以便用于 DDR5 和 HBM。

　　同時，華城工廠(13/15/17 號生產線)正在升級到 1α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產能，以滿足航空航天等特殊行業的需求。

　　SK 海力士以南韓利川市 M16 產線生產 HBM，并著手將 M14 產線升級為 1α/1β 制程，以供應 DDR5 和 HBM 產品。

　　此外，無錫廠目前正積極將制程由 1y/1z 升級到 1z/1α，分別用于生產 DDR4 及 DDR5 產品。

　　美光 HBM 前段在日本廣島廠生產，產能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆;長期將引入 EUV 制程(1γ、1δ)，并建置全新無塵室。