DRAM漲價潮，產(chǎn)業(yè)鏈下游集體承壓，國產(chǎn)存儲如何破局？

　　近期全球DRAM市場接連引爆兩大標(biāo)志性事件，存儲半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一輪強(qiáng)勢的價格上行周期。

　　作為主流DRAM產(chǎn)品的DDR4，單價已突破11美元，刷新歷史監(jiān)測紀(jì)錄。與此同時2026年一季度，智能手機(jī)供應(yīng)鏈格局生變——向來在議價環(huán)節(jié)占據(jù)絕對優(yōu)勢的蘋果，首次遭遇存儲器原廠的強(qiáng)勢“反攻”。據(jù)韓媒ZDNet報道，三星電子與SK海力士已敲定與蘋果的低功耗DRAM(LPDDR)供貨價格，漲幅之高震撼市場：三星對蘋果的LPDDR報價較去年四季度上調(diào)超80%，SK海力士的漲幅更逼近100%。

　　這兩大事件絕非偶然，而是全球DRAM市場邁入“超級周期”的直接印證，其背后是行業(yè)供需結(jié)構(gòu)的深層變革，更將為全球存儲產(chǎn)業(yè)的格局重構(gòu)帶來深遠(yuǎn)影響與全新機(jī)遇。

　　三大存儲巨頭“棄低追高”，供需缺口持續(xù)擴(kuò)大

　　近期DRAM價格持續(xù)攀升，其背后并非簡單的行業(yè)周期波動，而是由AI浪潮引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需錯配，疊加產(chǎn)能調(diào)整與低庫存共振所驅(qū)動。從需求側(cè)看，全球科技巨頭競相投入AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，帶動DRAM需求呈指數(shù)級上升，單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存配置可達(dá)普通服務(wù)器的8至10倍，高端AI存儲大量擠占產(chǎn)能，間接導(dǎo)致消費級DDR4、LPDDR等產(chǎn)品供應(yīng)緊張。與此同時，隨著消費電子庫存逐步消化，個人電腦與智能手機(jī)市場回暖，進(jìn)一步推高了整體需求，形成“AI需求+消費復(fù)蘇”雙輪拉動的格局。

　　供給端的收縮同樣是漲價的重要誘因。三星、SK海力士、美光三大廠商主導(dǎo)全球DRAM市場，在高度集中的產(chǎn)業(yè)格局下，為提升盈利水平，紛紛采取“棄低追高”策略，將先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利存儲產(chǎn)品，致使傳統(tǒng)DDR4、LPDDR等相關(guān)成熟制程產(chǎn)能明顯縮減。市場研究顯示，2025年DRAM行業(yè)平均庫存周期已降至10周左右，其中原廠庫存僅2至4周，處于歷史低位。供需之間的持續(xù)缺口，直接推動了價格上漲趨勢。

　　對三大巨頭而言，本輪行情成為盈利反轉(zhuǎn)的關(guān)鍵窗口。美光2026財年第一季度財報顯示，其DRAM業(yè)務(wù)單季營收同比增長69%，達(dá)108億美元，創(chuàng)歷史新高;三星與SK海力士亦因產(chǎn)品漲價帶動股價大幅上行，過去半年累計漲幅分別達(dá)128%和228%。在利潤導(dǎo)向下，三大廠短期內(nèi)仍聚焦于高附加值產(chǎn)能，而非大規(guī)模擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)出，這意味著未來一至兩年內(nèi)供應(yīng)緊張態(tài)勢難以緩解，價格或?qū)⒕S持高位。花旗集團(tuán)預(yù)測，2026年DRAM平均售價漲幅可能高達(dá)88%，超出此前預(yù)期。

　　國產(chǎn)存儲或迎發(fā)展黃金窗口期

　　全球DRAM市場劇烈波動，也深刻影響著中國這一全球最大的需求市場之一。此前國內(nèi)DRAM長期高度依賴進(jìn)口，市場由海外三大廠商主導(dǎo)。此次國際市場價格暴漲，直接推升國內(nèi)終端廠商采購成本，尤其對利潤空間有限的消費電子行業(yè)構(gòu)成壓力，企業(yè)不得不在壓縮盈利與提高售價之間艱難權(quán)衡，競爭力受到削弱。更深層次看，若過度依賴進(jìn)口的供應(yīng)鏈?zhǔn)箛鴥?nèi)產(chǎn)業(yè)極易受國際價格波動及地緣因素沖擊，自主可控能力亟待加強(qiáng)。

　　危中有機(jī)，這也為國產(chǎn)DRAM企業(yè)帶來了突圍的窗口。為破解進(jìn)口依賴、提升供應(yīng)鏈安全性，國內(nèi)已出臺多項政策支持半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力本土企業(yè)推進(jìn)研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。在政策助力與下游對自主供應(yīng)鏈迫切需求的雙重推動下，國產(chǎn)替代進(jìn)程正持續(xù)加速。

　　目前，國內(nèi)DRAM龍頭長鑫科技已啟動IPO。根據(jù)招股書，該公司2025年第二季度全球市占率已達(dá)3.97%，位列全球第四。其最新發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品速率實現(xiàn)10667Mbps，與行業(yè)領(lǐng)先水平持平;DDR5產(chǎn)品速率突破8000Mbps，單顆粒容量覆蓋24Gb，正逐步填補(bǔ)市場缺口，成為增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈韌性的關(guān)鍵力量。

　　不同于國際巨頭“棄低追高”的路線，長鑫科技依托IDM模式，持續(xù)深耕本土市場需求，逐步從“替代補(bǔ)充”轉(zhuǎn)向“核心供應(yīng)”。公司在合肥、北京兩地運營三座12英寸晶圓廠，產(chǎn)能利用率已從2022年的85.45%提升至2025年上半年的94.63%，規(guī)�；�制造能力不斷鞏固。

　　從客戶結(jié)構(gòu)來看，長鑫科技已覆蓋阿里云、字節(jié)跳動、騰訊等互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)，以及聯(lián)想、小米、榮耀、OPPO、vivo等主流終端品牌，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、移動設(shè)備、個人電腦及智能汽車等領(lǐng)域�；�于持續(xù)穩(wěn)定的產(chǎn)能交付與產(chǎn)品力的穩(wěn)步提升，長鑫科技不僅能進(jìn)一步提升市場占有率，更將助力彌合國內(nèi)DRAM供需缺口，強(qiáng)化國產(chǎn)存儲自主化能力，為下游產(chǎn)業(yè)提供堅實且自主的供應(yīng)鏈后盾。