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天岳先進發布業界首款 300mm（12 英寸）N 型碳化硅襯底
11 月 22 日消息，據國內碳化硅單晶襯底材料企業天岳先進官方微信公眾號動態，該企業在本月中旬于德國慕尼黑舉行的 Semicon Europe 2024 展覽會上發布了業界首款 300mm N 型(IT之家注：即導電型)碳化硅襯底。
天岳先進表示，隨著新能源汽車、光伏儲能等清潔能源、5G 通訊及高壓智能電網等產業的快速發展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長。
而 300mm 碳化硅襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量;在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本，進一步提升經濟效益，為碳化硅材料的更大規模應用提供可能。
天岳先進官網資料顯示，該企業成立于 2010 年，產品包含用于碳化硅(SiC)外延層生長的 4H 導電型碳化硅單晶襯底和用于氮化鎵(GaN)外延層生長的 4H 半絕緣型碳化硅單晶襯底。目前天岳先進可供應 6 英寸和 8 英寸的導電型襯底以及 4 英寸和 6 英寸的半絕緣型襯底。
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