報告稱我國在 8 英寸 SiC 裝備、襯底、外延等領域已取得重大突破

　　根據集邦咨詢近日發布的報告，業內人士稱 2023 年為“8 英寸 SiC 元年”，Wolfspeed、意法半導體等全球功率半導體巨頭都加快了 8 英寸 SiC 的研發步伐，而我國在 SiC 生產裝備、襯底和外延等方面都取得了重大突破。

　　集邦咨詢表示，目前國內至少有 10 家企事業單位正在推進 8 英寸碳化硅(SiC)基板的開發，IT之家在此附上列表如下：

　　包括山西爍科晶體(Semisic)

　　晶盛機電(JSJ)

　　山東天岳先進科技(SICC)

　　廣州南砂晶圓半導體技術(Summit Crystal)

　　河北同光(Synlight)

　　中國科學院物理研究所

　　山東大學

　　北京天科合達藍光半導體(TankeBlue)

　　哈爾濱科友半導體(KY Semiconductor)

　　杭州乾晶半導體(IV-Semitec)。

　　作為第三代半導體材料，SiC 具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、優異的導熱性能等優點。其在高溫、高壓和高頻應用中的出色性能使其成為半導體材料領域的基石。

　　在下游需求增長的推動下，SiC 產業正處于高速擴張階段。TrendForce 分析預測，2023 年 SiC 功率器件市場規模將達到 22.8 億美元(IT之家備注：當前約 166.9 億元人民幣)，年增長率高達 41.4%。到 2026 年，這一市場預計將進一步擴大，達到 53.3 億美元(當前約 390.16 億元人民幣)。

　　電動汽車、5G 通信、光伏和內存存儲等領域不斷增長的需求目前正在推動碳化硅(SiC)行業的快速增長。中國的主要參與者正在加大研發力度，以克服技術挑戰并獲得可觀的市場份額。

　　根據 TrendForce 的分析，目前 SiC 產業以 6 英寸基板為主，占據了高達 80% 的市場份額，而 8 英寸基板僅占 1%。向更大的 8 英寸晶圓過渡是進一步降低 SiC 器件成本的關鍵策略。隨著 8 英寸晶圓的成熟，其定價預計將是 6 英寸晶圓的 1.5 倍左右，而管芯產量是 6 英寸 SiC 晶圓的約 1.8 倍，大大提高晶圓利用率。

　　從行業角度來看，SiC 器件的成本結構包括襯底、外延、流片和封裝工藝，其中襯底占總生產成本的 45% 左右。

　　為了降低每個器件的成本，該策略圍繞著擴大 SiC 襯底和增加每個襯底的芯片數量。值得注意的是，8 英寸 SiC 襯底比 6 英寸同類襯底具有明顯的成本優勢。

　　襯底(substrate)是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。

　　外延(epitaxy)是指在經過切、磨、拋等仔細加工的單晶襯底上生長一層新單晶的過程，新單晶可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料(同質外延或者是異質外延)。