非易失磁阻式RAM推進(jìn)到單芯片1Gb：內(nèi)存/硬盤(pán)加速統(tǒng)一

　　計(jì)算機(jī)界一直在探索NVRAM(非易失隨機(jī)存取器)，即在保留DRAM速度快、延時(shí)低(納秒級(jí))優(yōu)勢(shì)的情況下，做到永固數(shù)據(jù)。

　　目前基于NAND的SSD是向NVRAM過(guò)渡的產(chǎn)物之一，業(yè)內(nèi)還有鐵電RAM(FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、電阻式RAM(ReRAM)以及Intel已經(jīng)商用化的相變RAM(PCRAM)即3D Xpint技術(shù)形態(tài)。

　　MRAM近年來(lái)受到的關(guān)注度很高，Everspin(飛思卡爾子公司)開(kāi)發(fā)完成后(STT-MRAM，自旋力矩轉(zhuǎn)移MRAM)，三星、美光、高通、東芝等都在跟進(jìn)。

　　MRAM與NAND的主要不同體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)原理，前者依賴(lài)的是不同的磁性取向來(lái)存儲(chǔ)信息(諾獎(jiǎng)巨磁阻效應(yīng))，后者則是電荷存儲(chǔ)信息，電荷存儲(chǔ)的主要問(wèn)題是需要以較高的電壓完成寫(xiě)入，且可靠性隨時(shí)間逐漸損耗。

　　對(duì)比之下，MRAM不僅可靠性/耐用性大大提升，同時(shí)依然可以維持納秒級(jí)的低時(shí)延。

　　據(jù)Anandtech報(bào)道，Everspin目前生產(chǎn)的MRAM單芯片是256Mb，年底將試樣1Gb(128MB)，基于GF的22nm FD-SOI工藝。

　　與此同時(shí)，IBM宣布，將在今天開(kāi)幕的閃存峰會(huì)上展示FlashCore系列新品SSD，容量19.2TB，基于3D TLC閃存(64層)，主控為FPGA芯片，緩存用的是Everspin的MRAM，大小128MB。

　　IBM表示，F(xiàn)PGA主控配合傳統(tǒng)的DRAM不能提供更好的寫(xiě)入加速，壽命很低，所以選擇了Everspin的MRAM。

　　這款SSD采用U.2接口，支持NVMe規(guī)范，可走PCIe 4.0通道。