三星急需提高3nm AI芯片代工良率，目前僅20%

　　三星電子急需提高先進人工智能(AI)芯片的代工良率。英偉達表示，由于其芯片需求持續強勁，可能會將訂單從臺積電轉移出去。

　　英偉達CEO黃仁勛近期表示，臺積電的“敏捷性和響應我們需求的能力令人難以置信”，但“如果有必要，我們當然可以隨時提供其他產品”。

　　黃仁勛對AI芯片需求的擔憂不無道理，他說，客戶對英偉達Blackwell芯片的需求“非常大”，英偉達的供應商正在盡最大努力跟上這一需求。同時，他指出，由于地緣政治緊張局勢加劇等擔憂，英偉達可能會在必要時更換供應商。然而，他警告說，這種變化可能會“導致產品質量下降”。

　　英偉達將其大部分先進AI芯片的物理生產外包給臺積電，而不是三星等其他代工廠。

　　2023年，三星代工廠獲得了英偉達的8nm芯片訂單，例如用于汽車的Tegra和2020年的RTX-3000圖形處理單元(GPU)。然而，它未能成功獲得更先進的AI芯片的訂單，例如H系列或Blackwell，這些芯片需要更先進的制造工藝。

　　正如黃仁勛所指出的，問題在于質量。三星的代工廠正在努力提高制造良率。但這一數字并沒有像三星希望的那樣快速提高。三星的代工廠苦苦掙扎，直到今年第一季度，3nm工藝的良率仍保持在個位數，導致其自有Exynos 2500芯片的工程樣品供應延遲。分析師認為，三星在第二季度成功將3nm良率提高到近20%，但這仍然不足以實現量產，量產需要至少60%的良率。

　　在此背景下，三星似乎難以獲得代工訂單。據業內人士透露，該公司最近調整了其在京畿道平澤市最新晶圓廠P4的設備安裝計劃，優先生產先進DRAM內存，例如高帶寬存儲器(HBM)芯片。

　　該晶圓廠最初計劃從安裝NAND設備開始，然后是代工廠，最后是DRAM產品。然而，由于代工訂單低迷，這一順序已被改變。有傳言稱，鑒于對HBM和其他用于AI服務器的先進存儲產品的穩定需求，三星可能決定將P4專門用于制造存儲芯片。

　　另外，三星對其位于美國得克薩斯州泰勒市工廠的投資面臨質疑。該公司最初計劃從明年開始使用該工廠量產4nm芯片，但已將該計劃推遲到2026年。據報道，雖然4nm工藝的良率穩定，但三星正在努力獲得無晶圓廠公司的訂單。

　　因此，也有猜測稱，三星可能會將重點從4nm芯片轉移到2nm芯片上，以確保未來獲得更先進產品的訂單。然而，報道顯示，該公司在提高2nm工藝以及3nm工藝的制造良率方面也面臨挑戰。

　　一位半導體行業官員表示：“三星代工廠累計虧損的核心原因之一是良率低。該公司設法穩定4nm工藝的產量，但在更先進的工藝(如第二代3nm或 2nm工藝)中尚未做到這一點。”

　　三星沒有披露其代工業務的單獨收益，但市場觀察人士估計，該公司今年上半年的營業虧損約為1.5萬億韓元(11.2億美元)。

　　“三星在HBM業務上的成就仍未達到應有的水平，其代工部門仍在虧損中苦苦掙扎，”Eugene Investment &Securities分析師Lee Seung-woo表示，“因此，三星半導體業務今年第三季度的營業利潤預計將下降至5.5萬億韓元。”