轉(zhuǎn)折點(diǎn)上的存儲業(yè)：人工智能與熱點(diǎn)新品并進(jìn)

　　研究機(jī)構(gòu)TechInsights報(bào)告顯示，人工智能推動下存儲器產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁反彈，當(dāng)前全球存儲芯片市場表現(xiàn)亮眼。三星電子、Sk海力士、美光科技發(fā)布的最新財(cái)報(bào)也印證了這一點(diǎn)，繼上財(cái)季扭虧為盈之后繼續(xù)上攻，新季度銷售額與營業(yè)利潤均實(shí)現(xiàn)大幅增長，全面鞏固了存儲業(yè)轉(zhuǎn)折上行的大趨勢。

　　存儲大廠財(cái)報(bào)業(yè)績大幅轉(zhuǎn)盈

　　全球存儲巨頭三星電子、美光科技近期發(fā)布最新一季的財(cái)報(bào)，業(yè)績?nèi)�面向�?Sk海力士也預(yù)期表現(xiàn)良好。

　　三星電子在7月5日公布的第二季度初步業(yè)績中顯示，該公司銷售額為74萬億韓元，營業(yè)利潤10.4萬億韓元。與上一季度相比，分別增長2.9%和57.3%。外界普遍解讀，三星電子利潤大幅增長表明了存儲產(chǎn)業(yè)真正開始好轉(zhuǎn)。受人工智能熱潮影響，近來存儲芯片價格快速上漲。

　　SK海力士雖然尚未正式發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，但歸功于HBM需求的增長，業(yè)界預(yù)測SK海力士二季度有望超出此前的預(yù)估值。KB證券預(yù)計(jì)，SK海力士第二季度營業(yè)利潤將達(dá)5萬億韓元，創(chuàng)6年來最高。其中DRAM營業(yè)利潤為4.2萬億韓元，NAND營業(yè)利潤為8000億韓元。

　　美光科技在6月26日發(fā)布的2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)中，營收68.11億美元，同比上升81.5%，好于市場預(yù)期;同期實(shí)現(xiàn)凈利潤3.32億美元，繼續(xù)保持盈利狀態(tài)。Non-GAAP會計(jì)準(zhǔn)則下，美光經(jīng)營利潤9.41億美元;凈利潤7.02億美元，環(huán)比增長47%。其中，DRAM收入約47億美元，環(huán)比增長13%，營收占比約69%。

　　除三巨頭之外，西部數(shù)據(jù)第一季度營收34.57億美元，同比增長23%。Non-GAAP下，凈利潤為2.10億美元，同樣實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。鎧俠2023財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)(截至2024年3月31日)顯示，營收3221億日元，環(huán)比增長60.1%，同比增長31%，實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤439億日元、凈利潤103億日元，二者環(huán)比皆扭虧為盈。

　　業(yè)界認(rèn)為，各大存儲廠商的普遍好轉(zhuǎn)，顯示了存儲器市場供需平衡不斷改善，價格持續(xù)上調(diào)，在雙重因素疊加下，存儲行業(yè)已經(jīng)完全擺脫了此前持續(xù)下行的行業(yè)走勢。

　　人工智能推動需求激增

　　人工智能需求的激增是存儲市場扭轉(zhuǎn)的主要原因之一，目前服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存價格都在提高。有報(bào)道顯示，三星電子第二季度已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存儲價格調(diào)高至少20%。而根據(jù)DRAM Exchange資料，第一季度全球企業(yè)用NAND閃存的銷售額達(dá)到37.58億美元，比前一季度大增62.9%。隨著需求的增加，部分產(chǎn)品出現(xiàn)供不應(yīng)求。

　　集邦咨詢調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季度DRAM均價將持續(xù)上揚(yáng)，漲幅預(yù)計(jì)將為8%～13%。集邦咨詢分析認(rèn)為，整體消費(fèi)級DRAM市場繼續(xù)呈現(xiàn)供過于求的局面，但由于 HBM 產(chǎn)能擠壓，三大供應(yīng)商明顯有意提高價格。預(yù)計(jì)傳統(tǒng)DRAM價格將上漲 5% 至 10%，與第二季度的漲幅相比略有收縮。

　　同時，人工智能熱潮也推動了對 NAND 閃存芯片的需求，尤其是企業(yè)對數(shù)據(jù)中心等IT基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行大規(guī)模投資。AI數(shù)據(jù)中心對服務(wù)器容量的要求比一般數(shù)據(jù)中心高出20倍，而AI領(lǐng)域的熱潮預(yù)計(jì)將帶動大容量SSD訂單。預(yù)估今年全球NAND Flash市場年增率將達(dá)74.1%，預(yù)計(jì)今年第三季度企業(yè)用大容量固態(tài)硬盤芯片將增長15%至20%。

　　HBM、QLC SSD、GDDR7：前景廣泛看好

　　HBM、QLC SSD、GDDR7等新品熱點(diǎn)被認(rèn)為將在AI服務(wù)器中得到廣泛應(yīng)用，相關(guān)產(chǎn)品前景被廣泛看好。

　　由于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM高出數(shù)倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，使得HBM出貨量在DRAM中的占比快速提升。集邦咨詢預(yù)計(jì)，2023年～2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別為2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可超過20%，至2025年占比有機(jī)會超過30%。目前經(jīng)過多輪技術(shù)迭代，HBM已進(jìn)階到HBM3E。集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，NVIDIA的Blackwell與AMD MI350/MI375采用HBM3E，特別集中12Hi產(chǎn)品，最高容量可達(dá)288GB，將有助于延續(xù)單一位元均價的持續(xù)上升，且于2025年成為市場主流。

　　與MLC NAND和TLC NAND相比，QLC NAND每個單元可以存儲更多數(shù)據(jù)，顯著提升存儲性能，這使得QLC SSD被業(yè)界認(rèn)為其在人工智能領(lǐng)域?qū)⒂懈�大作為。此前QLC NAND主要應(yīng)用于PC OEM和消費(fèi)級SSD領(lǐng)域，隨著AI大模型不斷普及，數(shù)據(jù)中心存儲需求不斷激增，QLC NAND尤其是QLC SSD在AI、大數(shù)據(jù)領(lǐng)域被看好。集微咨詢表示，QLC的主要優(yōu)勢在于高存儲容量之下的低成本。隨著AI數(shù)據(jù)的爆發(fā)，QLC SSD可以滿足速度和容量需求。雖然QLC NAND存在壽命短的問題，但是AI推理服務(wù)器主要以讀取為主，數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不像AI訓(xùn)練型服務(wù)器那么頻繁，在很多應(yīng)用場景下是適用的。事實(shí)上，目前通用型服務(wù)器采用的HDD產(chǎn)品主流容量在20TB～24TB，而QLC SSD容量已發(fā)展至64TB。大容量QLC SSD有望在AI推理服務(wù)器中得到進(jìn)一步的應(yīng)用。

　　GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。帶寬可達(dá)192GB/s，內(nèi)存速度為48Gbps，是GDDR6X的兩倍;獨(dú)立通道數(shù)量翻倍，從GDDR6中的2個增加到GDDR7中的4個;支持16 Gbit至32Gbit密度，包括支持2通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。在人工智能領(lǐng)域，GDDR7的應(yīng)用潛力十足，可支持AI大模型進(jìn)行快速數(shù)據(jù)處理與運(yùn)算，為大模型訓(xùn)練與推理提速。SK海力士、三星與美光均在爭奪GDDR7的主導(dǎo)權(quán)。美光在6月份時宣布已開始出樣新一代GDDR7，速度為32Gbps，顯存帶寬1.5TB/sec，相比較GDDR6提高了60%，具有業(yè)界最高的位元密度。