內存/閃存產能過剩 三巨頭明年一齊減產

　　這兩年，DRAM芯片和內存條價格經歷了一波瘋漲，如今已經慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產能一直很充裕，SSD固態硬盤的價格也是持續走低，性價比越來越高。

　　但是這對于內存、閃存芯片廠商來說，并不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產能了。

　　美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示，當前DRAM內存芯片市場查能過剩、庫存持續增加，導致價格下跌、拖累產業。

　　美光預計明年內存芯片產能增幅為15%，低于此前預期的20%，NAND閃存芯片也只會增長35%，低于此前預計的35-40%。

　　為了解決供過于求的問題，美光計劃將明年全年的資本支出下調12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內存、NAND閃存芯片產能。

　　不過產能調整需要時間，美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

　　同時，三星、SK海力士也有類似的減產計劃，三星更是會增加晶圓代工市場份額，以彌補芯片降價帶來的損失。

　　市調機構IC Insights預計，明年半導體行業的整體資本支出可能會比今年減少12%，其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計減少14%，其他減少約7%。

　　看這意思，內存、固態硬盤的價格很可能會在明年年中前后出現反彈。