三星宣布7nm LPP量產！基于EUV光刻技術、性能增加20%

　　10月18日早間消息，三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。

　　據悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產能1500片。

　　簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光硅片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。

　　三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。

　　技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效(同樣復雜度為量綱)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

　　三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指明了道路。產能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。

　　目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。