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韓媒稱三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)
作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。
據(jù)Digitimes引述News1 Korea報道，三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
報道稱，三星最快在2020年開始大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。
EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
結(jié)合手頭掌握的資料，高通已經(jīng)確認(rèn)其5G基帶芯片將由三星的7nm代工。
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