Intel 10nm工藝揭秘：晶體管密度比肩臺積電/三星7nm

　　Intel 14nm工藝已經(jīng)連續(xù)用了三代，還要再用一次，10nm則因為良品率始終無法達到滿意程度而一再推遲，現(xiàn)在跳票到了2019年，而且上半年還是下半年Intel自己都不確定。

　　相比之下，臺積電、三星已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm，GlobalFoundries 7nm也不遠了。

　　Intel的技術(shù)真的不行了?顯然不是。雖然都叫xxnm，但是對比之下，Intel無疑是最為嚴謹?shù)�，一直在追求最高的技術(shù)指標，也正因為如此再加上半導(dǎo)體工藝難度急劇增加，Intel 10nm才一直難產(chǎn)。

　　目前，Intel 10nm處理器已經(jīng)小批量出貨，已知產(chǎn)品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U，由聯(lián)想IdeaPad 330筆記本首發(fā)。

　　TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發(fā)現(xiàn)，直接證實了Intel新工藝的先進性。

　　分析發(fā)現(xiàn)，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術(shù)，晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍!

　　作為對比，三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當于Intel的一半多點，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

　　至于臺積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

　　換言之，僅就晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好!

　　另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

　　事實上與現(xiàn)有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

　　Intel 10nm的其他亮點還有：

　　- BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，后者是一種貴金屬

　　- BEOL后端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

　　- 6.2-Track高密度庫實現(xiàn)超級縮放(Hyperscaling)

　　- Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術(shù)

　　當然了，技術(shù)指標再先進，最終也要轉(zhuǎn)換成有競爭力的產(chǎn)品，才算數(shù)。