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消息稱美光將斥資至多八千億日元，新建廣島EUV光刻DRAM內存晶圓廠
據日媒《日刊工業新聞》報道，美光將斥資 6000~8000 億日元(IT之家備注：當前約 277.2~369.6 億元人民幣)，在日本廣島建設新的 DRAM 內存晶圓廠。
該晶圓廠將引進 EUV 光刻機，計劃于 2026 年初動工，有望于 2027 年末正式投產。
美光將在 2025 年量產的下代 1-gamma (nm) 節點正式導入 EUV 光刻技術。考慮到 DRAM 行業的代際周期，美光廣島新工廠屆時將具備生產 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。
報道指，美光原計劃在今年就啟動新晶圓廠的運行，這樣就能在 2025 年量產后的第一時間擴充 1-gamma DRAM 制造能力。
但由于此前半導體行業，尤其是存儲領域的衰退，美光對投資計劃進行了調整，放緩了產能擴張的速度。
美光建設新廠的部分開支將來源于日本經濟產業省的補貼，這筆資金至高可達 1920 億日元(當前約 88.7 億元人民幣)。
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