最新的t-SPL技術或對納米芯片產生重要影響

　　近日，據外媒報道，一個國際研究團隊報告說，在制造納米芯片方面取得了突破性進展。這一突破可能對納米芯片的生產和全球各地的納米技術實驗室產生深遠的影響。

　　科學家們正在探索越來越小、更快的半導體二維材料。該研究小組由美國紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Riedo領導。他們證明，使用加熱到攝氏100度以上的探針進行光刻，比在二硫化鉬等二維半導體上制造金屬電極的標準方法要好。這些過渡金屬是科學家們認為有可能取代硅制造原子小芯片的材料之一。

　　該團隊的新制造方法熱掃描探針光刻(t-SPL)比今天的電子束光刻(EBL)具備更多優勢。首先，熱光刻大大提高了二維晶體管的質量，抵消了肖特基勢壘，阻礙了電子在金屬和二維襯底交界處的流動。此外，與EBL不同的是，熱光刻技術允許芯片設計者方便地對二維半導體進行成像，然后在需要的地方繪制電極圖案。此外，t-SPL制造系統在初期節省了大量的資金，同時也節省了成本。最后，利用并行熱探針可以方便地將這種熱制造方法推廣到工業生產中。

　　在紐約大學坦頓工程學院實驗室，Riedo教授和博士生劉向宇利用他們發明的熱掃描探針光刻工藝和Swiss Litho公司的Nano Frazor設備制造了高質量的2D芯片。

　　該工藝有望取代今天的電子束光刻技術。Riedo教授表示，希望t-SPL將把大部分的制造工作從稀缺的干凈房間(研究人員必須與昂貴的設備競爭時間的地方)轉移到普通實驗室，在那里他們可能會迅速推進材料科學和芯片設計的研究。